[00737356]集成电路用P型硅片的缺陷控制与利用
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技术详细介绍
该成果是一项新的内吸除（ＩＧ）技术，通过对达到所需电阻率的Ｐ型硅单晶进行快中子辐照，在硅晶体中引入空位、空位团、硅间隙原子、间隙原子团等辐照缺陷，在空位的参与下，加速了硅片表面氧的外扩散，很快形成无缺陷的表面剥光区，而在硅片体内的空位团，则成为过饱和氧的沉淀核心，促进了硅片体内氧沉淀，从而在硅片纵截面上形成理想的内吸除结构。使氧化后硅片表面不会出现雾缺陷，并且可节省大量时间，用于ＩＧ在线生产，其重复性好。采用该技术可达到全部亮片的要求，适用于双极电路生产所需Ｐ型硅片。该成果达到国际先进水平，对发展中国双极电路具有重要意义，并将产生重大的经济效益。