[00725881]一种钛酸锶钡铁电薄膜的制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种制备钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO<,3>,简称BST)铁电薄膜的方法,采用的是射频磁控溅射法。利用溅射气体放电产生粒子轰击BST陶瓷靶材,产生靶材粒子沉积在基片,再经过不同的退火工艺退火形成不同择优取向的BST薄膜。本发明的射频磁控溅射法制备的BST铁电薄膜是通过控制溅射过程中的工艺参数和溅射后的退火工艺实现的,其工艺简单、易操作控制,此种方法制备的BST薄膜适合于微电子器件开发对不同特性BST铁电薄膜的需要。大规模集成电路的封装料制备,也可以用于机械、电子、日用化工、生物医药等领域。
本发明涉及一种制备钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO<,3>,简称BST)铁电薄膜的方法,采用的是射频磁控溅射法。利用溅射气体放电产生粒子轰击BST陶瓷靶材,产生靶材粒子沉积在基片,再经过不同的退火工艺退火形成不同择优取向的BST薄膜。本发明的射频磁控溅射法制备的BST铁电薄膜是通过控制溅射过程中的工艺参数和溅射后的退火工艺实现的,其工艺简单、易操作控制,此种方法制备的BST薄膜适合于微电子器件开发对不同特性BST铁电薄膜的需要。大规模集成电路的封装料制备,也可以用于机械、电子、日用化工、生物医药等领域。