[00725820]双掺近化学计量比晶体材料与器件的制备及其在信息领域的应用研究
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技术详细介绍
采用K2O作为助熔剂，利用TSSG方法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的一系列锌铁双掺近化学计量比铌酸锂晶体（Zn:Fe:SLN），然后通过氧化还原后处理方法进行改性，并加工成全息存储器件。采用XRD、差热分析、红外及紫外光谱分析晶体中本征缺陷及非本征缺陷的变化情况，进而探讨外来杂质离子在晶体中的占位情况。测试晶体的光学性能，如指数增益系数、衍射效率、响应时间及抗光致损伤性能，确定晶体中电荷的运动机制，建立微观缺陷结构与宏观光学性能之间的联系。通过晶体在基于体全息存储的识别系统中的应用，证明其是一种优良的光学体全息存储材料，这种晶体响应速度快、存储时间长、抗光损伤能力强，具有重要的实际应用价值。