[00713361]大面积高纯氧化铝陶瓷微波基片
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技术详细介绍
高纯氧化铝是一种重要的微波介质基片材料，具有优异的电绝缘性、低介电损耗、合适的介电常数，在微波通信器件方面具有十分广阔的应用领域。由于材料的制备方法不同导致氧化铝陶瓷的纯度、微观结构，表面缺陷等差异巨大，而使材料综合介电性能指标相差悬殊。较多采用流延法等工艺生产99%以下的氧化铝基片材料，其纯度低、致密性较差、气孔率较高，即使表面采用涂层等先进技术进行改性提高表面光洁度，当使用频率较高时介电性能仍然会明显恶化，影响器件稳定性。该技术采用高纯超细氧化铝粉体为原料，通过合理添加改性剂，经等静压成型，高温烧结，精加工等方法获得晶粒细而均匀、气孔率极低，表面光洁度高，高频下具优越介电性能并且稳定的大面积基片材料。工艺成熟，可大规模生产。[技术性能]：材料的体积密度：不低于3.96g/cm<'3>，无明显气孔；介电常数9-10；介质损耗：小于5×10-4。1GHz；基片面积：50×50mm。