[00709763]固态源光硒化或硫化反应系统的研制
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技术详细介绍
固态源光硒化或硫化反应系统是研究化合物半导体铜铟硒薄膜电池吸收层的重要装置,具有内外加热控温系统,分子泵排气系统,固态硒源气化合成室和内外部反应气体输送系统,金属预置层光催化反应控制系统,导轨和快速冷却系统等组成;它改进了固态源后硒化方法,在金属预制层上增设辐射光源,光辐射不仅使固态硒源气化,产生硒气氛、硒大分子团分解、硒原子被活化,以及金属预制层表面原子也被光辐射活化,使金属预制层硒化条件和过程较易控制,加快了铜铟镓金属预制层转化为化合物薄膜材料的速度;基板的预置层上部光辐射和背面加热的同时进行,可提高升温的速率,而不致于使玻璃基板炸裂,同时降低了硒化过程预置层铟镓流失的不可控性,使后硒化制备薄膜材料的组份易于控制,避免直接使用剧毒硒化氢气体,开辟了CIGS薄膜电池产业化新途径。
固态源光硒化或硫化反应系统是研究化合物半导体铜铟硒薄膜电池吸收层的重要装置,具有内外加热控温系统,分子泵排气系统,固态硒源气化合成室和内外部反应气体输送系统,金属预置层光催化反应控制系统,导轨和快速冷却系统等组成;它改进了固态源后硒化方法,在金属预制层上增设辐射光源,光辐射不仅使固态硒源气化,产生硒气氛、硒大分子团分解、硒原子被活化,以及金属预制层表面原子也被光辐射活化,使金属预制层硒化条件和过程较易控制,加快了铜铟镓金属预制层转化为化合物薄膜材料的速度;基板的预置层上部光辐射和背面加热的同时进行,可提高升温的速率,而不致于使玻璃基板炸裂,同时降低了硒化过程预置层铟镓流失的不可控性,使后硒化制备薄膜材料的组份易于控制,避免直接使用剧毒硒化氢气体,开辟了CIGS薄膜电池产业化新途径。