[00704462]电视机用重掺硅外延片内吸除技术研究
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技术详细介绍
该研究采用符合法弹性前冲技术,以27Mev〈’IZ〉C作为入射粒子,在计算出实验条件下卢瑟福散射截成和有效电荷后,从散射粒子的能谱得到重掺锑硅中氧含量,找到一种无本底影响测量重掺锑硅中氧含量的方法,结果准确,灵敏度高,可用于标定其它方法,实验结果证实,重掺锑硅中氧的固溶度降低,使得氧含量降低40%左右。考虑N型掺杂剂和抑制硅中氧沉淀,且重掺锑硅中氧含量降低,因此重掺锑硅片不能沿用普遍直拉硅的内吸除(IG)退火工艺。该研究提出低温成核,高温台阶退火工艺,形成了理想的IG结构,提高了外延层质量,二次离子质谱测试表明,IG效果好。该研究在国内、外首次采用符合法弹性前冲测试技术,较准确地测定了重掺锑硅中氧含量,该检测方法达到国际先进水平。
该研究采用符合法弹性前冲技术,以27Mev〈’IZ〉C作为入射粒子,在计算出实验条件下卢瑟福散射截成和有效电荷后,从散射粒子的能谱得到重掺锑硅中氧含量,找到一种无本底影响测量重掺锑硅中氧含量的方法,结果准确,灵敏度高,可用于标定其它方法,实验结果证实,重掺锑硅中氧的固溶度降低,使得氧含量降低40%左右。考虑N型掺杂剂和抑制硅中氧沉淀,且重掺锑硅中氧含量降低,因此重掺锑硅片不能沿用普遍直拉硅的内吸除(IG)退火工艺。该研究提出低温成核,高温台阶退火工艺,形成了理想的IG结构,提高了外延层质量,二次离子质谱测试表明,IG效果好。该研究在国内、外首次采用符合法弹性前冲测试技术,较准确地测定了重掺锑硅中氧含量,该检测方法达到国际先进水平。