[00391179]铅的硫族化合物半导体单晶的制备方法
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技术详细介绍
该发明涉及一种铅的硫族化合物半导体单晶的生长和制备方法，属于半导体单晶制备工艺技术领域。该发明采用高纯度的金属铅粉和硫族元素S、Se或Te粉按一定摩尔比称取重量，将两者放置于石英管内，石英管内抽真空，真空度达10-4Pa或10-5Pa，放于立式加热炉内加热熔化反应生成铅的硫族化合物PbS、PbSe、或PbTe，然后将其加热至熔点以上20℃，保持熔化状态，再下降至熔点温度，然后开动马达，提拉石英管，以5-7mm/天的速率提拉，达7-10天后，取出直径为25-30mm的半导体单晶。该发明方法实质上是通过熔体蒸发气相淀积而生长制备半导体单晶，并按一定晶面或晶向生长而成的半导体单晶材料。该发明方法所制得的较大尺寸的单晶可用于高集成度探测器或敏感功能器件中。发明专利号：ZL200510028231.4。