[00368717]InGaN/GaN量子点高亮度蓝/绿发光二极管(LED)的研制

半导体照明技术中的高亮度氮化镓基发光材料和芯片的制造使下一代照明光源的关键和核心技术。该项目系统研究了InGaN/GaN量子阱/点发光材料的结构、制备工艺，经过反复的实验，成功研制了高亮度InGaN/GaN蓝/绿光LED芯片。研究中对材料的生长、控制及表征，材料结构和发光性能之间的关系都进行了细致的研究，特别是在高度晶格非匹配，高缺陷外延的控制生长等的关键技术以及全套蓝绿光LED管芯制造技术等方面取得了重大突破。通过优化薄膜材料结构及成分，攻克了亮度低、光效低等技术问题，提出了多种提高和改善LED发光效率结构和制备的有效方法。所研制出的蓝光芯片功率达3.0-5.5mW，绿光芯片功率达2.5-4mW，反向偏压可达25V，性能已达国内同类产品的最高水平，接近国际领先水平。在国家科技部所组织的评比中芯片性能指标连续两年被评为最高水平。在项目研究过程中，采用产学研紧密结合的形式，与使科研成果迅速产业化，并已取得数百万元的经济效益。针对市场需求，结合YAG荧光粉完成了以蓝光芯片为底的白光发光二极管的制备，也取得良好的成果。对于继白炽灯，荧光灯，气体放电灯后的第四代照明光源LED产业化，商品化具有重要意义。