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技术详细介绍
该项目采用CZ法和PMCZ法研制出了Φ≥50mm的硅锗单晶。其利用FTIR、SEM、SIMS、化学光谱、X-RAY、EDX等分析手段对硅中锗的含量、分布形式、有效分凝系数、氧浓度和氧沉淀的行为、电阻率热稳定性、锗浓度对晶体完整性的影响、拉晶工艺条件的热场的设计等进行了系统的分析、测试和研究，确定了采用CZ法和PMCZ法制备硅锗单晶的工艺，并首次发现了硅锗单晶中与锗含量有关的新的红外吸收峰(710cm<'-1>)。达到国内领先水平。