[00346280]新型功能材料-硅锗单晶的制备技术
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技术详细介绍
锗硅单晶是一种硅基半导体新材料，它的禁带宽度随锗含量变化而改变，是人们称之为“带隙工程”的新材料。它在微电子领域、电力电子领域以及热电、光电转换、抗射线干扰和无线通信网络领域有着广泛用途。用于手机芯片电路，其向应速度比si高数倍，而其成本仅为GaAS器件的1/3-1/5。美国IBM公司在2002年初已将GeSi器件应用于网络通讯，是目前国内外竞相开发的新型功能材料之一。锗硅晶体可采用通用的CZ法或Fz法生长，Ge浓度可依器件应用要求的指标从直径φ30～φ100mm、锗浓度0.02～15％(重量比)进行制备。潜在的市场非常广阔，被人们称之为第二代半导体材料。该项目曾获国家自然科学基金和河北省自然基金、河北省经贸委资助，目前已完成实验阶段，正在进行小试。投资规模：500～1000万元(不含流动资金)。主要生产设备：晶体生长炉，分析测试仪器，晶片加工设备；当生产能力达到50％，即可达到盈亏平衡。合作方式：双方商定。