[00336170]一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201410558331.7
交易方式：
资料待完善
联系人：
佛山市中山大学研究院
进入空间
所在地：广东佛山市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置，包括进气口和反应室，所述反应室上方设有顶盖，进气口竖向贯穿于顶盖，反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构；反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座，衬底承载座的外径小于腔体的内径，衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为排气通道；衬底承载座侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构，其与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构。本发明极大地抑制了反应室的气体向上翻滚形成的涡流，提高了高速旋转的衬底承载座附近气场的稳定性；倒圆角流线型设计缩小并优化了承载座与腔体内壁间的距离,使得由反应室进入排气通道中的气体不易向上翻滚,进一步提高了反应室气流的稳定性和薄膜生长的均匀性。
摘要：本发明公开了一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置，包括进气口和反应室，所述反应室上方设有顶盖，进气口竖向贯穿于顶盖，反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构；反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座，衬底承载座的外径小于腔体的内径，衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为排气通道；衬底承载座侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构，其与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构。本发明极大地抑制了反应室的气体向上翻滚形成的涡流，提高了高速旋转的衬底承载座附近气场的稳定性；倒圆角流线型设计缩小并优化了承载座与腔体内壁间的距离,使得由反应室进入排气通道中的气体不易向上翻滚,进一步提高了反应室气流的稳定性和薄膜生长的均匀性。
