[00336121]一种低膨胀磁屏蔽合金及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201410162936.4
交易方式：
资料待完善
联系人：
钢铁研究总院
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所在地：北京北京市
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技术详细介绍
摘要：本发明属于精密合金领域，特别涉及一种用于光纤环圈骨架的低膨胀磁屏蔽合金及其制备方法。该合金的化学成分按重量％为：Ni32.0～35.2，Co3.0～3.5，Mn0.10～0.25，Si≤0.15，Cu≤0.02，C≤0.01，P≤0.01，S≤0.01，余量为Fe；该低膨胀磁屏蔽合金通过如下步骤制备：高纯度原料准备→成分配比→真空感应炉冶炼和真空自耗重熔→锻造加工→取样→热处理→性能测试。热处理制度为：高纯氢气保护，随炉升温至970±10℃，保温2.5～3h，以200～250℃/h降温至550±10℃，快冷至300℃以下出炉。本发明与现有的低膨胀合金4J32相比，在保持低膨胀特性的前提下，具有较高的初始磁导率，使合金兼具低膨胀性能和磁屏蔽性能两大优点。即：在-45～+75℃温度范围内，合金的膨胀系数在1.0×10-6/℃以下；初始磁导率高于1.5mH/m。
摘要：本发明属于精密合金领域，特别涉及一种用于光纤环圈骨架的低膨胀磁屏蔽合金及其制备方法。该合金的化学成分按重量％为：Ni32.0～35.2，Co3.0～3.5，Mn0.10～0.25，Si≤0.15，Cu≤0.02，C≤0.01，P≤0.01，S≤0.01，余量为Fe；该低膨胀磁屏蔽合金通过如下步骤制备：高纯度原料准备→成分配比→真空感应炉冶炼和真空自耗重熔→锻造加工→取样→热处理→性能测试。热处理制度为：高纯氢气保护，随炉升温至970±10℃，保温2.5～3h，以200～250℃/h降温至550±10℃，快冷至300℃以下出炉。本发明与现有的低膨胀合金4J32相比，在保持低膨胀特性的前提下，具有较高的初始磁导率，使合金兼具低膨胀性能和磁屏蔽性能两大优点。即：在-45～+75℃温度范围内，合金的膨胀系数在1.0×10-6/℃以下；初始磁导率高于1.5mH/m。
