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[00336097]晶界扩散钕铁硼磁体的界面调控方法

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过小试

专利所属地:中国

专利号:CN201710464873.1

交易方式: 资料待完善

联系人: 钢铁研究总院

进入空间

所在地:北京北京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:一种晶界扩散钕铁硼磁体的界面调控方法,属于稀土永磁材料技术领域。通过进行界面调控处理,改善钕铁硼磁体晶界结构、优化晶界处与扩散进入晶粒内部的稀土的分布,进而在扩散处理后的磁体中获得较高的剩磁。通过界面调控处理,能够调控重稀土Dy、Tb在磁体内部的分布,使重稀土元素Dy、Tb仅分布于主相NdFeB晶粒外表层,最终使磁体由于稀土扩散处理所降低的剩磁恢复至接近扩散前的水平。优点在于,解决了晶界扩散提高矫顽力导致剩磁降低的难题。可以实现兼具高剩磁和超高矫顽力磁体的制备和生产,具有广阔的市场前景,经济效益显著。
摘要:一种晶界扩散钕铁硼磁体的界面调控方法,属于稀土永磁材料技术领域。通过进行界面调控处理,改善钕铁硼磁体晶界结构、优化晶界处与扩散进入晶粒内部的稀土的分布,进而在扩散处理后的磁体中获得较高的剩磁。通过界面调控处理,能够调控重稀土Dy、Tb在磁体内部的分布,使重稀土元素Dy、Tb仅分布于主相NdFeB晶粒外表层,最终使磁体由于稀土扩散处理所降低的剩磁恢复至接近扩散前的水平。优点在于,解决了晶界扩散提高矫顽力导致剩磁降低的难题。可以实现兼具高剩磁和超高矫顽力磁体的制备和生产,具有广阔的市场前景,经济效益显著。

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