[00335121]一种双端流水线型复制位线电路
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201510017119.4
交易方式：
资料待完善
联系人：
安徽大学
进入空间
所在地：安徽合肥市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种双端流水线型复制位线电路，其具体实现根据流水次数不同有两种实现方式，该电路能够降低SRAM中灵敏放大器控制时序产生电路的工艺偏差，即提高了SRAM中灵敏放大器控制时序产生电路的工艺容忍能力，可以在不影响位线预充时间、不大幅度增大设计面积的情况下将工艺偏差降低为传统复制位线的且为了保证本发明电路的平均延迟与传统复制位线电路的相等，则有流水次数N＝M*K，且当M＝1时，即复制位线长度与传统相等时，得到SAE的工艺偏差最小，为传统复制位线产生的SAE的偏差的1/N。
摘要：本发明公开了一种双端流水线型复制位线电路，其具体实现根据流水次数不同有两种实现方式，该电路能够降低SRAM中灵敏放大器控制时序产生电路的工艺偏差，即提高了SRAM中灵敏放大器控制时序产生电路的工艺容忍能力，可以在不影响位线预充时间、不大幅度增大设计面积的情况下将工艺偏差降低为传统复制位线的且为了保证本发明电路的平均延迟与传统复制位线电路的相等，则有流水次数N＝M*K，且当M＝1时，即复制位线长度与传统相等时，得到SAE的工艺偏差最小，为传统复制位线产生的SAE的偏差的1/N。
