[00335115]一种SRAM自跟踪复制位线电路
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201510898475.1
交易方式：
资料待完善
联系人：
安徽大学
进入空间
所在地：安徽合肥市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种SRAM自跟踪复制位线电路，该电路能够利用正在进行读操作存储单元附近的一列未工作在保持状态的存储单元作为复制位线对读状态进行跟踪，从而可以精确的模拟SRAM读操作时位线的放电过程，进而产生具有较小偏差的灵敏放大器使能信号，有效降低读错误率，特别适用于有较大工艺波动的先进制造工艺和拥有较大规模SRAM存储阵列的电路中。
摘要：本发明公开了一种SRAM自跟踪复制位线电路，该电路能够利用正在进行读操作存储单元附近的一列未工作在保持状态的存储单元作为复制位线对读状态进行跟踪，从而可以精确的模拟SRAM读操作时位线的放电过程，进而产生具有较小偏差的灵敏放大器使能信号，有效降低读错误率，特别适用于有较大工艺波动的先进制造工艺和拥有较大规模SRAM存储阵列的电路中。
