[00335102]一种双列交错复制位线电路
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201420769481.8
交易方式：
资料待完善
联系人：
安徽大学
进入空间
所在地：安徽合肥市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本实用新型公开了一种双列交错复制位线电路，其时钟信号线CK直接连接到正接的第一组2N个放电单元RC的第一字线控制信号端WLL上，在时钟信号有效时，与第一组2N个放电单元RC的第一位线信号端BL连接的第一复制位线RBL放电；随后，第一复制位线RBL通过第一反相器I1连接到反接的第二组2N个放电单元RC的第一字线控制信号端WLL上，因此与第二组2N个放电单元RC的第一位线信号端BL连接的第一复制位线RBL继续放电，最后通过第二反相器I2向存储阵列模块输出灵敏放大器使能信号SAE。本实用新型实施例能够提高SRAM时序产生电路工艺鲁棒性，并且可以在不改变传统放电单元RC内部结构的情况下进一步降低工艺偏差。
摘要：本实用新型公开了一种双列交错复制位线电路，其时钟信号线CK直接连接到正接的第一组2N个放电单元RC的第一字线控制信号端WLL上，在时钟信号有效时，与第一组2N个放电单元RC的第一位线信号端BL连接的第一复制位线RBL放电；随后，第一复制位线RBL通过第一反相器I1连接到反接的第二组2N个放电单元RC的第一字线控制信号端WLL上，因此与第二组2N个放电单元RC的第一位线信号端BL连接的第一复制位线RBL继续放电，最后通过第二反相器I2向存储阵列模块输出灵敏放大器使能信号SAE。本实用新型实施例能够提高SRAM时序产生电路工艺鲁棒性，并且可以在不改变传统放电单元RC内部结构的情况下进一步降低工艺偏差。
