[00331802]横向PIN结构Ge量子点近红外探测器及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201110405583.2
交易方式：
资料待完善
联系人：
福州大学
进入空间
所在地：福建福州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种横向PIN结构Ge量子点近红外探测器及其制作方法，该探测器包括衬底和设于衬底上的多层Ge量子点，多层Ge量子点上光刻有p+叉指注入区和n+叉指注入区，两叉指注入区均包括间隔并排的多个叉指条型区和与各叉指条型区相连通的叉指连接区，p+叉指注入区与n+叉指注入区的叉指条型区间隔交叉设置，p+叉指注入区内设有p+叉指条和p+叉指连接部，n+叉指注入区内设有n+叉指条和n+叉指连接部，多层Ge量子点上设有SiO2薄膜，SiO2薄膜上开设有两电极引线孔，两电极引线孔内分别设有与p+叉指连接部、n+叉指连接部相接触的金属电极并向外引出。该探测器的光生载流子输运效率高，提高了探测器的光响应度。
摘要：本发明涉及一种横向PIN结构Ge量子点近红外探测器及其制作方法，该探测器包括衬底和设于衬底上的多层Ge量子点，多层Ge量子点上光刻有p+叉指注入区和n+叉指注入区，两叉指注入区均包括间隔并排的多个叉指条型区和与各叉指条型区相连通的叉指连接区，p+叉指注入区与n+叉指注入区的叉指条型区间隔交叉设置，p+叉指注入区内设有p+叉指条和p+叉指连接部，n+叉指注入区内设有n+叉指条和n+叉指连接部，多层Ge量子点上设有SiO2薄膜，SiO2薄膜上开设有两电极引线孔，两电极引线孔内分别设有与p+叉指连接部、n+叉指连接部相接触的金属电极并向外引出。该探测器的光生载流子输运效率高，提高了探测器的光响应度。
