[00327911]金属有机化学气相沉积工艺和反应器设计
联系人：祝俊
所在地：江苏镇江市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本成果基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）GaN生长的化学反应动力学原理和传热传质原理，设计了一种新的GaN生长的MOCVD工艺，以及相应的新的MOCVD反应器。新工艺可以大大减少气相寄生反应、提高衬底上方的温度和浓度均匀性，加大生长窗口。改进了传统的MOCVD工艺窗口窄，对温度和浓度过于敏感等缺点，属国际首创。
性能指标
（1）可以使反应器尺寸成比例放大，一次可生长100多片2英寸晶片，而不影响沉积均匀性；
（2）可以大大减少气相寄生反应，使生长对温度和反应前体浓度不敏感；
（3）由于生长窗口加宽，可以人工控制薄膜异质结的生长速率和厚度，因此LED的光效和寿命可以大大提高。
适用范围、市场前景
适用范围：代替价格高昂的进口MOCVD反应器。
市场前景：可用于LED，HEMT和半导体激光器等广阔领域。