[00327410]一种CuInS2纳米晶半导体薄膜的制备方法
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技术详细介绍
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质，以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和pH缓冲剂配制电沉积液，并调节pH＝1。5-3。5后，在搅拌条件下进行电沉积，而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于250-500℃下恒温30-180min，得到CuInS2纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强，重复好，所制备的CuInS2纳米晶半导体薄膜无杂质，适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。