[00326568]一种阻变存储器元件及其制备方法

　　根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。

　　忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势,

　　忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。

　　阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。

　　成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求）

　　采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。

　　环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。