[00314590]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201210321786.8
交易方式：
技术转让
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联系人：
厦门立德软件公司
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技术详细介绍
本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，该方法首先采用射频磁控溅射技术在清洗干净的玻璃衬底上制备金属钼背电极，以铜铟合金靶和铜镓合金靶为溅射靶材，以氩气作为溅射气体，采用射频磁控溅射技术，以双靶交替溅射的方式，制备成Mo/CuIn/CuGa/CuIn/CuGa/CuIn/CuGa多层结构的铜铟镓金属预制层，最后以固态硒粉为硒源，在铜铟镓预制层上真空蒸发厚度是铜铟镓预制层厚度的4～6倍的硒薄膜，再在真空条件下通过三步升温硒化方式进行硒化：首先加热到100°C恒温10～20min，再升温到260°C恒温15～20min，最后再加热到550°C恒温30min，形成具有黄铜矿结构的晶粒较大的铜铟镓硒吸收层；本发明方法以溅射为基础,可实现各种元素独立控制,是一个直接面向产业化的薄膜制备方法。
本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，该方法首先采用射频磁控溅射技术在清洗干净的玻璃衬底上制备金属钼背电极，以铜铟合金靶和铜镓合金靶为溅射靶材，以氩气作为溅射气体，采用射频磁控溅射技术，以双靶交替溅射的方式，制备成Mo/CuIn/CuGa/CuIn/CuGa/CuIn/CuGa多层结构的铜铟镓金属预制层，最后以固态硒粉为硒源，在铜铟镓预制层上真空蒸发厚度是铜铟镓预制层厚度的4～6倍的硒薄膜，再在真空条件下通过三步升温硒化方式进行硒化：首先加热到100°C恒温10～20min，再升温到260°C恒温15～20min，最后再加热到550°C恒温30min，形成具有黄铜矿结构的晶粒较大的铜铟镓硒吸收层；本发明方法以溅射为基础,可实现各种元素独立控制,是一个直接面向产业化的薄膜制备方法。
