技术详细介绍
本发明公开了一种柔性光刻掩模板的制备方法，它在传统光刻技术的基础上，结合了离子束沉积和聚合物薄膜制备等技术。
该法所得柔性透明的聚二甲基硅烷光刻模板的厚度，可根据实际需要表面的弯曲程度通过控制聚二甲基硅烷单体旋涂速度来控制，厚度在0.2mm-1cm或者更厚。
本发明的柔性光刻掩模板可用于包括半导体材料表面（硅片、砷化镓）以及金属表面（不锈钢、铝、青铜等）为基底的弯曲表面微图案化技术，使光刻技术的应用从平面拓展到复杂弯曲表面中。
本发明公开了一种柔性光刻掩模板的制备方法，它在传统光刻技术的基础上，结合了离子束沉积和聚合物薄膜制备等技术。
该法所得柔性透明的聚二甲基硅烷光刻模板的厚度，可根据实际需要表面的弯曲程度通过控制聚二甲基硅烷单体旋涂速度来控制，厚度在0.2mm-1cm或者更厚。
本发明的柔性光刻掩模板可用于包括半导体材料表面（硅片、砷化镓）以及金属表面（不锈钢、铝、青铜等）为基底的弯曲表面微图案化技术，使光刻技术的应用从平面拓展到复杂弯曲表面中。