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[00301380]一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他化学化工

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201510245661.5

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 哈尔滨工业大学

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所在地:黑龙江哈尔滨市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法,它涉及一种核壳结构纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC存在频散特性低的问题。制备方法一、混合得到混合物;二、反应得到反应物;三、分离干燥得到固体粉末;四、高温碳化处理得到SiC@C核壳结构纳米线。优点一、整个工艺简单,操作方便,使用设备简单,成本低,不会造成污染;二、避免了杂质的引入和结构缺陷问题,制备的SiC@C核壳结构纳米线外壳表面光滑,包覆层致密均一;三、所用碳源原料廉价易得,可以通过调节反应液浓度来有效地控制包覆壳层的厚度;四、有良好的吸波性能。本发明主要用于制备SiC@C核壳结构纳米线。
摘要:一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法,它涉及一种核壳结构纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC存在频散特性低的问题。制备方法一、混合得到混合物;二、反应得到反应物;三、分离干燥得到固体粉末;四、高温碳化处理得到SiC@C核壳结构纳米线。优点一、整个工艺简单,操作方便,使用设备简单,成本低,不会造成污染;二、避免了杂质的引入和结构缺陷问题,制备的SiC@C核壳结构纳米线外壳表面光滑,包覆层致密均一;三、所用碳源原料廉价易得,可以通过调节反应液浓度来有效地控制包覆壳层的厚度;四、有良好的吸波性能。本发明主要用于制备SiC@C核壳结构纳米线。

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