[00297178]锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610080392.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
河南大学
进入空间
所在地：河南开封市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器，包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层，YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层，YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层，Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点，能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题，同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
摘要：本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器，包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层，YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层，YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层，Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点，能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题，同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。
