[00295602]一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201010137317.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
河北大学
进入空间
所在地：河北保定市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到对靶磁控溅射装置的基片台上，然后对对靶磁控溅射装置的反应室抽真空，并用氩等离子体清对靶磁控溅射装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，开启溅射电源并开始非晶氮化硅薄膜的沉积，至得到非晶氮化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化非晶氮化硅薄膜的沉积。本发明能够利用对靶磁控反应溅射沉积技术在低温下快速沉积氢化非晶氮化硅薄膜。
摘要：本发明公开了一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到对靶磁控溅射装置的基片台上，然后对对靶磁控溅射装置的反应室抽真空，并用氩等离子体清对靶磁控溅射装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，开启溅射电源并开始非晶氮化硅薄膜的沉积，至得到非晶氮化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化非晶氮化硅薄膜的沉积。本发明能够利用对靶磁控反应溅射沉积技术在低温下快速沉积氢化非晶氮化硅薄膜。
