[00295585]一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710256059.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
河北大学
进入空间
所在地：河北保定市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供了一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法。该方法使浓盐酸（质量分数为37.5%）与去离子水按预定体积比进行混合以对浓盐酸进行稀释，稀释后的盐酸溶液置于恒温的水浴锅中，将待刻蚀的薄膜样品置于稀释后的盐酸溶液中，使薄膜样品与盐酸反应一段时间后，再将样品取出，最后用去离子水将薄膜表面冲洗干净，再用氮气枪吹干，则可得到比较单一的纯相CZTS薄膜。本发明采用盐酸溶液浸泡铜锌锡硫薄膜，可有效去除铜锌锡硫薄膜表面的ZnS二次杂相，后续可制得光电性能较好的CZTS太阳电池。本发明相比传统的KCN刻蚀方法简单易操作，成本低且对人的危害性较小。
摘要：本发明提供了一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法。该方法使浓盐酸（质量分数为37.5%）与去离子水按预定体积比进行混合以对浓盐酸进行稀释，稀释后的盐酸溶液置于恒温的水浴锅中，将待刻蚀的薄膜样品置于稀释后的盐酸溶液中，使薄膜样品与盐酸反应一段时间后，再将样品取出，最后用去离子水将薄膜表面冲洗干净，再用氮气枪吹干，则可得到比较单一的纯相CZTS薄膜。本发明采用盐酸溶液浸泡铜锌锡硫薄膜，可有效去除铜锌锡硫薄膜表面的ZnS二次杂相，后续可制得光电性能较好的CZTS太阳电池。本发明相比传统的KCN刻蚀方法简单易操作，成本低且对人的危害性较小。
