[00293365]脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410749275.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
湖北大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法，具体步骤为：以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底，依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟，超声波工作频率40kHz，然后用氮气吹干后立即装入真空腔内，设定衬底温度为600～800℃、真空室氧压为0～5Pa、激光脉冲能量为100～500mJ、脉冲激光频率为1～20Hz，烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法，其所选用的原料较少、经济、无污染，制备工艺简单、操作方便，易于生产，为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
摘要：本发明提供一种脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法，具体步骤为：以Pt/Ti/SiO2/Si(100)作为衬底，依次用丙酮、无水乙醇、去离子水经超声波清洗器清洗10分钟，超声波工作频率40kHz，然后用氮气吹干后立即装入真空腔内，设定衬底温度为600～800℃、真空室氧压为0～5Pa、激光脉冲能量为100～500mJ、脉冲激光频率为1～20Hz，烧蚀陶瓷靶材得到低带隙薄膜产物。本发明为物理气相沉积法，其所选用的原料较少、经济、无污染，制备工艺简单、操作方便，易于生产，为开发基于铁电半导体的太阳能电池开辟了一种全新的途径。
