[00284694]一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201010585896.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
吉林师范大学
进入空间
所在地：吉林四平市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法，涉及利用磁场预退火制备高有序度的L10-FePt颗粒薄膜的方法。本发明降低了FePt薄膜的有序化温度、促进L10-FePt薄膜的(001)织构生长、提高了磁性能；步骤一、在室温下，采用直流磁控溅射法在基片上制备FeAg纳米薄膜；步骤二、将步骤一制备的FeAg纳米薄膜置于磁场中进行真空退火，获得退火后的FeAg纳米薄膜；步骤三、将步骤二获得退火后的FeAg纳米薄膜在室温下采用直流磁控溅射沉积Pt层后进行无磁场真空退火，获得L10-FePt/Ag薄膜。本发明所述方法可在任意基片上形成高有序度的、小晶粒尺寸的、晶粒间磁相互作用小的高性能L10-FePt/Ag薄膜。
摘要：一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法，涉及利用磁场预退火制备高有序度的L10-FePt颗粒薄膜的方法。本发明降低了FePt薄膜的有序化温度、促进L10-FePt薄膜的(001)织构生长、提高了磁性能；步骤一、在室温下，采用直流磁控溅射法在基片上制备FeAg纳米薄膜；步骤二、将步骤一制备的FeAg纳米薄膜置于磁场中进行真空退火，获得退火后的FeAg纳米薄膜；步骤三、将步骤二获得退火后的FeAg纳米薄膜在室温下采用直流磁控溅射沉积Pt层后进行无磁场真空退火，获得L10-FePt/Ag薄膜。本发明所述方法可在任意基片上形成高有序度的、小晶粒尺寸的、晶粒间磁相互作用小的高性能L10-FePt/Ag薄膜。
