[00278493]共沉淀法低温制备石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂的方法
交易价格:
面议
所属行业:
化工生产
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201510066028.X
交易方式:
技术转让
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联系人:
南昌航空大学
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所在地:江西南昌市
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明涉及一种共沉淀法低温制备石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂的方法,其特征在于:首先用改性的Hummers法制备出氧化石墨烯,然后用80%的水合肼将氧化石墨烯还原,得到还原氧化石墨烯;然后以氯化锡,氯化铟和硫代乙酰胺作为原料,将它们溶解到有机醇溶液中,同时加入提前制备好的还原氧化石墨烯,低温共沉淀法得到了以化学键结合的石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂。本发明的特点是反应温度低、反应时间短,同时制备的石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂具有较大的比表面积,禁带宽度窄,能有效地使光生电子-空穴分离,有着较高的稳定性、再生性能好,在可见光下有较强的光吸收和光催化活性。
摘要:本发明涉及一种共沉淀法低温制备石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂的方法,其特征在于:首先用改性的Hummers法制备出氧化石墨烯,然后用80%的水合肼将氧化石墨烯还原,得到还原氧化石墨烯;然后以氯化锡,氯化铟和硫代乙酰胺作为原料,将它们溶解到有机醇溶液中,同时加入提前制备好的还原氧化石墨烯,低温共沉淀法得到了以化学键结合的石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂。本发明的特点是反应温度低、反应时间短,同时制备的石墨烯-SnIn4S8纳米复合光催化剂具有较大的比表面积,禁带宽度窄,能有效地使光生电子-空穴分离,有着较高的稳定性、再生性能好,在可见光下有较强的光吸收和光催化活性。