[00278119]一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法
交易价格：
面议
所属行业：
专用化学
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410123403.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南昌航空大学
进入空间
所在地：江西南昌市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公布了一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法，先将SiC颗粒加入到镁合金熔体中，搅拌均匀，然后将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置的模具中，使复合材料熔体在低压脉冲磁场作用下完全凝固。本发明的优点是：（1）绿色环保、工艺简单、操作方便、易于控制，成本和投资少，该方法只需要对脉冲磁场的强度和合金的凝固速率进行控制；（2）无污染，脉冲磁场不直接接触合金熔体，不会对熔体产生污染，也不会对环境产生污染。
摘要：本发明公布了一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法，先将SiC颗粒加入到镁合金熔体中，搅拌均匀，然后将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置的模具中，使复合材料熔体在低压脉冲磁场作用下完全凝固。本发明的优点是：（1）绿色环保、工艺简单、操作方便、易于控制，成本和投资少，该方法只需要对脉冲磁场的强度和合金的凝固速率进行控制；（2）无污染，脉冲磁场不直接接触合金熔体，不会对熔体产生污染，也不会对环境产生污染。
