[00277924]一种基于特征磁导率的应力集中和疲劳损伤的检测评价方法
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110306587.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南昌航空大学
进入空间
所在地：江西南昌市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种基于特征磁导率检测的新的应力集中和疲劳损伤的评价方法。材料的微观结构特征与技术磁化过程密切相关，应力集中的形成和变化、疲劳损伤的加深、缺陷位错密度的改变、裂纹的形成和结构相变都将导致磁化过程的变化。该发明表述的特征磁导率是一种微分磁导率，其与磁化过程有关，与最大磁场强度有关。在微分磁导率矩阵中，随材料微观结构量变化率最大的微分磁导率矩阵元即为与该微观变量对应的特征磁导率。不同的微观结构特征变量对应不同的磁导率矩阵元，具有不同的特征磁导率。特征磁导率与具体材料有关，与具体的材料微观变化性质有关，不同的微观结构特征变化对应不同的特征磁导率。特征磁导率检测的电路结构主要包括激励线圈、检测线圈、电源模块、A/D转换模块、计算机控制模块、信号调理电路等部分组成。具体数据评价模型主要依赖于低场磁滞回线系统数据。激励信号主要采用三角波波形，在一个工作周期内的波形变化特征由软件编程控制。
摘要：一种基于特征磁导率检测的新的应力集中和疲劳损伤的评价方法。材料的微观结构特征与技术磁化过程密切相关，应力集中的形成和变化、疲劳损伤的加深、缺陷位错密度的改变、裂纹的形成和结构相变都将导致磁化过程的变化。该发明表述的特征磁导率是一种微分磁导率，其与磁化过程有关，与最大磁场强度有关。在微分磁导率矩阵中，随材料微观结构量变化率最大的微分磁导率矩阵元即为与该微观变量对应的特征磁导率。不同的微观结构特征变量对应不同的磁导率矩阵元，具有不同的特征磁导率。特征磁导率与具体材料有关，与具体的材料微观变化性质有关，不同的微观结构特征变化对应不同的特征磁导率。特征磁导率检测的电路结构主要包括激励线圈、检测线圈、电源模块、A/D转换模块、计算机控制模块、信号调理电路等部分组成。具体数据评价模型主要依赖于低场磁滞回线系统数据。激励信号主要采用三角波波形，在一个工作周期内的波形变化特征由软件编程控制。
