[00274855]三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
专用化学
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510589153.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
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所在地：江苏南京市
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明公开了三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料制备方法。为了克服赝电容材料导电性差和比表面积低的问题，利用简单经济的一步水热法，在三维网状掺氮石墨烯形成过程中，原位生长Co(OH)2六方纳米片，从而获得石墨烯三维网络骨架支撑Co(OH)2的复合电极材料。六方纳米片的每边长大约100～300nm，片的厚度在10～15nm。拥有良好的电容性能，电容值在5mV/s扫描速率下达到740.4F/g，在1.0A/g的电流密度下电容值高达952.4F/g，因此在超级电容器电极材料的制备方面有很大的优势。
本发明公开了三维网状掺氮石墨烯复合氢氧化钴六方纳米片电极材料制备方法。为了克服赝电容材料导电性差和比表面积低的问题，利用简单经济的一步水热法，在三维网状掺氮石墨烯形成过程中，原位生长Co(OH)2六方纳米片，从而获得石墨烯三维网络骨架支撑Co(OH)2的复合电极材料。六方纳米片的每边长大约100～300nm，片的厚度在10～15nm。拥有良好的电容性能，电容值在5mV/s扫描速率下达到740.4F/g，在1.0A/g的电流密度下电容值高达952.4F/g，因此在超级电容器电极材料的制备方面有很大的优势。
