[00273468]一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610133598.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，在制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜过程中，当磁控溅射中间层金属Ag层时，在溅射气体氩气中通入的适量的氧气作为反应气体，所述氧气与氩气的体积比为1:100~3:100；利用氧气对Ag纳米颗粒生长过程中的诱导作用，使得生长在底层ZnO薄膜上的Ag纳米颗粒变得井然有序，有效的改善了Ag层的形貌。实现提高ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜透光性和导电性的目的。本发明采用室温下磁控溅射方法制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜具有较好的透光性、导电性和稳定性，可以有效的取代ITO用做有机发光二极管或太阳能电池透明电极。
一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，在制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜过程中，当磁控溅射中间层金属Ag层时，在溅射气体氩气中通入的适量的氧气作为反应气体，所述氧气与氩气的体积比为1:100~3:100；利用氧气对Ag纳米颗粒生长过程中的诱导作用，使得生长在底层ZnO薄膜上的Ag纳米颗粒变得井然有序，有效的改善了Ag层的形貌。实现提高ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜透光性和导电性的目的。本发明采用室温下磁控溅射方法制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜具有较好的透光性、导电性和稳定性，可以有效的取代ITO用做有机发光二极管或太阳能电池透明电极。
