[00272225]基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510955488.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，该纳米复合材料以二硫化钼为多体，另一种半导体材料的纯度大于90%。本发明还公开了上述电存储器的制备方法。本发明通过将二硫化钼与另一种半导体材料掺杂得到的纳米复合材料作为活性层，得到Flash型存储器件，且存储器件的性能有所提高。
本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，该纳米复合材料以二硫化钼为多体，另一种半导体材料的纯度大于90%。本发明还公开了上述电存储器的制备方法。本发明通过将二硫化钼与另一种半导体材料掺杂得到的纳米复合材料作为活性层，得到Flash型存储器件，且存储器件的性能有所提高。
