[00268968]一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
专用化学
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410305474.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
陕西师范大学
进入空间
所在地：陕西西安市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法，采用简单的溶液快速热反应法，制备成分散在毫米级片状非晶碳上SnO2纳米晶复合材料，SnO2纳米晶的尺寸为4～5nm，复合材料的比表面积可达90～120m2/g。本发明操作过程简单，不需要特殊的气氛保护，成本低，易于工业化生产，且所制备的SnO2纳米晶/C片状复合材料重复性和一致性好，可望在光催化、吸附、气敏传感、锂离子电池和太阳能电池等应用中体现出增强的性能。
摘要：本发明公开了一种大比表面积SnO2纳米晶/C片状复合材料的制备方法，采用简单的溶液快速热反应法，制备成分散在毫米级片状非晶碳上SnO2纳米晶复合材料，SnO2纳米晶的尺寸为4～5nm，复合材料的比表面积可达90～120m2/g。本发明操作过程简单，不需要特殊的气氛保护，成本低，易于工业化生产，且所制备的SnO2纳米晶/C片状复合材料重复性和一致性好，可望在光催化、吸附、气敏传感、锂离子电池和太阳能电池等应用中体现出增强的性能。
