[00268266]一种Sb/Si异质结构半导体纳米晶薄膜及其制备方法与应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410837859.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
上海师范大学
进入空间
所在地：上海上海市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种Sb/Si异质结构半导体纳米晶薄膜及其制备方法与应用，其方法是在晶硅片上，生长一层10nm-100nm厚的非致密的纳米晶薄膜，经热处理纳米晶薄膜与电池片光照面结合牢固，形成异质结构，这种Sb/Si异质结容易在界面形成n型活化层，具有独有的物理效应，可应用于成品及半成品硅基太阳能电池片的增效处理，可以明显提高晶硅电池的光电转换效率。本发明飞方法工艺简单、成本低廉、节能环保、快速高效，适合工业化生产。
摘要：本发明公开了一种Sb/Si异质结构半导体纳米晶薄膜及其制备方法与应用，其方法是在晶硅片上，生长一层10nm-100nm厚的非致密的纳米晶薄膜，经热处理纳米晶薄膜与电池片光照面结合牢固，形成异质结构，这种Sb/Si异质结容易在界面形成n型活化层，具有独有的物理效应，可应用于成品及半成品硅基太阳能电池片的增效处理，可以明显提高晶硅电池的光电转换效率。本发明飞方法工艺简单、成本低廉、节能环保、快速高效，适合工业化生产。
