技术详细介绍
摘要：本实用新型涉及一种基片控温系统
所述基片控温系统包括：真空腔室；用于放置基片的样品台，设置在所述真空腔室内，且包括用于对所述基片进行加热的加热器；与所述样品台连接的循环管道，包括入口和出口；惰性气体源，通过进气阀连接在所述循环管道的入口处；冷水机水箱，通过进水阀连接在所述循环管道的入口处；以及与所述加热器、进气阀和进水阀电连接的控制单元，当需要对所述基片加热时，打开所述进气阀且保持所述进水阀关闭；当需要对所述基片进行降温时，打开所述进水阀且保持所述进气阀关闭。本实用新型基片控温系统可以对基片的温度进行控制。
所述基片控温系统包括：真空腔室；用于放置基片的样品台，设置在所述真空腔室内，且包括用于对所述基片进行加热的加热器；与所述样品台连接的循环管道，包括入口和出口；惰性气体源，通过进气阀连接在所述循环管道的入口处；冷水机水箱，通过进水阀连接在所述循环管道的入口处；以及与所述加热器、进气阀和进水阀电连接的控制单元，当需要对所述基片加热时，打开所述进气阀且保持所述进水阀关闭；当需要对所述基片进行降温时，打开所述进水阀且保持所述进气阀关闭。本实用新型基片控温系统可以对基片的温度进行控制。