[00266362]加阶梯式异质结隔离区的共振隧穿二极管
交易价格：
面议
所属行业：
自动化应用
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610131515.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
四川大学
进入空间
所在地：四川成都市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种产生微分负阻的共振隧穿二极管（RTD）器件新型结构，该结构可产生毫安‑安培级输出电流，应用于太赫兹波信号源设计可产生毫瓦级输出功率的太赫兹波信号。本发明中的RTD的结构见附图。结构中采用AlzGa1‑zN/GaN/AlzGa1‑zN双势垒单势阱结构的量子阱区；发射区为重掺杂的AlxGa1‑xN；集电区是重掺杂的GaN；集电极隔离区为GaN；而发射极隔离区是AlyGa1‑yN阶梯型隔离区：AlyGa1‑yN的Al组分y由x按阶梯减小到0。理论分析和仿真在室温下（300K）进行，仿真参数是x=0.4，y从0.4按五级阶梯减小，z=0.2，仿真结果峰值电流Ip=1.59A（53mA/um2），谷值电流Iv=0.655A（21.8
本发明公开了一种产生微分负阻的共振隧穿二极管（RTD）器件新型结构，该结构可产生毫安‑安培级输出电流，应用于太赫兹波信号源设计可产生毫瓦级输出功率的太赫兹波信号。本发明中的RTD的结构见附图。结构中采用AlzGa1‑zN/GaN/AlzGa1‑zN双势垒单势阱结构的量子阱区；发射区为重掺杂的AlxGa1‑xN；集电区是重掺杂的GaN；集电极隔离区为GaN；而发射极隔离区是AlyGa1‑yN阶梯型隔离区：AlyGa1‑yN的Al组分y由x按阶梯减小到0。理论分析和仿真在室温下（300K）进行，仿真参数是x=0.4，y从0.4按五级阶梯减小，z=0.2，仿真结果峰值电流Ip=1.59A（53mA/um2），谷值电流Iv=0.655A（21.8
