[00264659]p型硫化镉薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110112975.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
四川大学
进入空间
所在地：四川成都市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明属于半导体材料与器件领域，特别涉及一种半导体薄膜的制备方法。提出一种采用磁控溅射装置，通过CdS靶和铜靶共溅射，室温沉积，及后续退火处理；或原位生长共溅射，及后续保压处理，以获得高质量p型CdS薄膜。所述室温沉积，指的是基片温度为室温，将溅射完毕的样品在氮气或惰性气体保护下退火250℃~400℃，保温10~30分钟再冷却。所述原位生长指的是基片温度为150℃~400℃，将溅射完毕的样品在溅射室内保持气压10~30分钟再自然冷却到。本发明改善了现有技术中掺铜浓度不容易控制、掺杂不均匀等问题，而且制备的薄膜载流子浓度高，大大提高了p型CdS的质量。本发明工艺稳定，操作简单，实用价值高，成本低，易工业化生产。
摘要：本发明属于半导体材料与器件领域，特别涉及一种半导体薄膜的制备方法。提出一种采用磁控溅射装置，通过CdS靶和铜靶共溅射，室温沉积，及后续退火处理；或原位生长共溅射，及后续保压处理，以获得高质量p型CdS薄膜。所述室温沉积，指的是基片温度为室温，将溅射完毕的样品在氮气或惰性气体保护下退火250℃~400℃，保温10~30分钟再冷却。所述原位生长指的是基片温度为150℃~400℃，将溅射完毕的样品在溅射室内保持气压10~30分钟再自然冷却到。本发明改善了现有技术中掺铜浓度不容易控制、掺杂不均匀等问题，而且制备的薄膜载流子浓度高，大大提高了p型CdS的质量。本发明工艺稳定，操作简单，实用价值高，成本低，易工业化生产。
