[00262516]一种钯掺杂中空多孔二氧化锡微立方体及其制备方法和应用
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410699544.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
武汉工程大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种钯掺杂中空多孔二氧化锡微立方体及其制备方法和应用，所述钯掺杂中空多孔二氧化锡微立方体尺寸为1～2μm，壳层由20～50nm的二氧化锡颗粒组成，厚度为100～200nm。其制备方法包括以下步骤：通过共沉淀和自模板碱液刻蚀方法合成中空ZnSn(OH)6微立方体作为前驱体；直接对其进行钯掺杂，得钯掺杂中空ZnSn(OH)6微立方体；然后经高温退火和酸溶液选择性浸出处理，得所述钯掺杂中空多孔二氧化锡微立方体。该方法操作简单，成本低，环境友好，反应条件温和。所得产物尺寸均一，分散良好，比表面积高，应用于制备气敏元件，对乙醇等气体表现出了较高的选择性和灵敏度以及较短的响应恢复时间。
摘要：本发明公开了一种钯掺杂中空多孔二氧化锡微立方体及其制备方法和应用，所述钯掺杂中空多孔二氧化锡微立方体尺寸为1～2μm，壳层由20～50nm的二氧化锡颗粒组成，厚度为100～200nm。其制备方法包括以下步骤：通过共沉淀和自模板碱液刻蚀方法合成中空ZnSn(OH)6微立方体作为前驱体；直接对其进行钯掺杂，得钯掺杂中空ZnSn(OH)6微立方体；然后经高温退火和酸溶液选择性浸出处理，得所述钯掺杂中空多孔二氧化锡微立方体。该方法操作简单，成本低，环境友好，反应条件温和。所得产物尺寸均一，分散良好，比表面积高，应用于制备气敏元件，对乙醇等气体表现出了较高的选择性和灵敏度以及较短的响应恢复时间。
