[00260830]一种rGO负载花瓣状MoS2异质结构的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510961222.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种rGO负载花瓣状MoS2异质结构的制备方法，用于提高光催化降解有机染料的效率。它是采用一步水热反应合成并通过退火处理提高结晶程度的处理方法，形成了花瓣状MoS2团簇与rGO相互缠绕的异质复合结构，利用二维材料大的比表面积可显著增加对有机污染物的吸附，而其异质界面可促使光生电子迅速转移到石墨烯片层上，留在MoS2价带中具有氧化性的光生空穴参与降解有机污染物，极大提升材料的光催化特性。不仅如此，MoS2/rGO异质结对于改善材料在可见光范围内的响应性起到了促进作用。本发明的技术思路简单清晰，复合材料对于有机染料的降解效率显著增加。本发明公开了水热法制备半导体异质结及增强光催化降解有机染料效率的技术思路。
本发明公开了一种rGO负载花瓣状MoS2异质结构的制备方法，用于提高光催化降解有机染料的效率。它是采用一步水热反应合成并通过退火处理提高结晶程度的处理方法，形成了花瓣状MoS2团簇与rGO相互缠绕的异质复合结构，利用二维材料大的比表面积可显著增加对有机污染物的吸附，而其异质界面可促使光生电子迅速转移到石墨烯片层上，留在MoS2价带中具有氧化性的光生空穴参与降解有机污染物，极大提升材料的光催化特性。不仅如此，MoS2/rGO异质结对于改善材料在可见光范围内的响应性起到了促进作用。本发明的技术思路简单清晰，复合材料对于有机染料的降解效率显著增加。本发明公开了水热法制备半导体异质结及增强光催化降解有机染料效率的技术思路。
