[00260174]定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
专用化学
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510271377.5
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
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-
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对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料及制备方法，该复合材料由SiC陶瓷相、金刚石颗粒相和Al金属相组成；其制备方法由①定向多孔SiC陶瓷的制备、②在金刚石颗粒表面涂覆WC涂层、③金刚石颗粒在多孔SiC陶瓷定向孔隙中的填充及④Al自发熔渗入填充有金刚石颗粒的定向孔中四个步骤完成。采用本发明方法制备的定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料，其在平行于定向孔方向具有很高的热导率，能将半导体产生的热量及时传递给热沉而散除；其在垂直于定向孔方向(半导体器件所在的平面)能获得与封装基板相匹配的热膨胀系数，从而减小封装材料与半导体器件之间的热应力，提高半导体工作效率和使用寿命。
本发明公开了一种定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料及制备方法，该复合材料由SiC陶瓷相、金刚石颗粒相和Al金属相组成；其制备方法由①定向多孔SiC陶瓷的制备、②在金刚石颗粒表面涂覆WC涂层、③金刚石颗粒在多孔SiC陶瓷定向孔隙中的填充及④Al自发熔渗入填充有金刚石颗粒的定向孔中四个步骤完成。采用本发明方法制备的定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料，其在平行于定向孔方向具有很高的热导率，能将半导体产生的热量及时传递给热沉而散除；其在垂直于定向孔方向(半导体器件所在的平面)能获得与封装基板相匹配的热膨胀系数，从而减小封装材料与半导体器件之间的热应力，提高半导体工作效率和使用寿命。
