[00258555]一种表面传导电子发射源结构及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510036036.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射薄膜上开设有纳米裂缝；在对称的器件电极之间设有8～20μm的电极间隙，在该电极间隙中设有电介质填充层和/或突起电介质。制作方法为先在电极缝隙中间构建突起，然后再将导电膜制作在突起上，利用突起材料导热性差的特点以及覆盖在突起部分导电膜与其他部分导电膜几何位置上的差异性使覆盖在突起部分的导电膜在“加电形成”时，产生更多的焦耳热，使纳米裂缝可以在突起部位形成，实现纳米裂缝位置的可控制作，提高场发射电子效率。
本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射薄膜上开设有纳米裂缝；在对称的器件电极之间设有8～20μm的电极间隙，在该电极间隙中设有电介质填充层和/或突起电介质。制作方法为先在电极缝隙中间构建突起，然后再将导电膜制作在突起上，利用突起材料导热性差的特点以及覆盖在突起部分导电膜与其他部分导电膜几何位置上的差异性使覆盖在突起部分的导电膜在“加电形成”时，产生更多的焦耳热，使纳米裂缝可以在突起部位形成，实现纳米裂缝位置的可控制作，提高场发射电子效率。
