[00258546]一种应变垂直MOS器件的制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410119735.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力衬垫层；进行离子注入，形成漏端n‑掺杂区；对衬底的外围环状区域进行离子注入，形成漏端n+掺杂区；对硅纳米线上部进行P+离子注入，形成Halo掺杂结构，进行n型离子注入形成源端；淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力，抑制短沟道效应和热载流子效应，提高载流子迁移率，增强电流驱动能力，在不降低器件性能的前提下缩小器件尺寸，以实现器件微型化的要求。
一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力衬垫层；进行离子注入，形成漏端n‑掺杂区；对衬底的外围环状区域进行离子注入，形成漏端n+掺杂区；对硅纳米线上部进行P+离子注入，形成Halo掺杂结构，进行n型离子注入形成源端；淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力，抑制短沟道效应和热载流子效应，提高载流子迁移率，增强电流驱动能力，在不降低器件性能的前提下缩小器件尺寸，以实现器件微型化的要求。
