[00258528]一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及其制备方法
                
                    
                        交易价格:
                        
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                        所属行业:
                        
                        
                            其他电气自动化
                        
                        
                    
                    
                        类型:
                        发明专利
                    
                    
                    
                        技术成熟度:
                        正在研发
                    
                    
                    
                    专利所属地:中国 
                    专利号:CN201610290234.3
                    
                    
                        交易方式:
                        
                        
                        
                            技术转让
                        
                        
                        
                            技术转让
                        
                        
                        
                            技术入股
                        
                        
                        
                    
                    
                 
                
                    
                    
                    
                        联系人:
                                                                        西安交通大学
                        
                        
                    
                    
                    
                    
                        
                        
                            进入空间
                        
                    
                    
                    
                    所在地:陕西西安市
                    
                    
                        - 服务承诺
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- 
                            资料保密
                             对所交付的所有资料进行保密  
- 如实描述
 
             
            
            
         
        
            
                
技术详细介绍
            
            一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法,包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板,所述的电池片周围设置一圈导电保护环,其中,所述整个电池片为若干电池片互相串联而成。当有太阳光时,各子串会输出直流高压,该直流高压的正极和导电保护环相连接,这样该导电保护环相对于各组件的铝边框是正电压,形成的电场由保护环指向玻璃外面,这样从根本上预防了玻璃中的金属离子向电池片表面迁移,从而从根本上解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减,该方法简单易行,成本低、效果好。本发明从根本上消除了晶体硅太阳电池组件的PID衰减,克服了现有方法的局限性和危险性。
            
                一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法,包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板,所述的电池片周围设置一圈导电保护环,其中,所述整个电池片为若干电池片互相串联而成。当有太阳光时,各子串会输出直流高压,该直流高压的正极和导电保护环相连接,这样该导电保护环相对于各组件的铝边框是正电压,形成的电场由保护环指向玻璃外面,这样从根本上预防了玻璃中的金属离子向电池片表面迁移,从而从根本上解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减,该方法简单易行,成本低、效果好。本发明从根本上消除了晶体硅太阳电池组件的PID衰减,克服了现有方法的局限性和危险性。