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[00258526]染料敏化纳米晶太阳电池光阳极薄膜的制造方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200710017979.3

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 西安交通大学

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所在地:陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种染料敏化纳米晶太阳电池光阳极薄膜的制造方法,以纳米结构复合型TiO2粉末为原料,采用真空冷喷涂法在导电玻璃上沉积薄膜,经后处理形成多孔TiO2薄膜。该方法制造的TiO2薄膜具有新颖的多尺度孔道结构特征,即同时具有较小尺寸孔道和较大尺寸孔道,特别有利于染料向薄膜内部的扩散与吸附,有利于电解质载流子在薄膜内的传递,对于固体或准固体电解质的电池,该薄膜还利于电解质渗透扩散进入薄膜内部。从根本上避免了薄膜裂纹和泡孔等诸多形式的缺陷,薄膜均匀,薄膜与基体结合优异,薄膜厚度可在2μm~50μm范围内灵活调控,其工艺简单灵活、量产成本低廉,可控性好,采用此薄膜组装的电池性能在若干性能方面可优于传统方法制备薄膜的电池。
本发明公开了一种染料敏化纳米晶太阳电池光阳极薄膜的制造方法,以纳米结构复合型TiO2粉末为原料,采用真空冷喷涂法在导电玻璃上沉积薄膜,经后处理形成多孔TiO2薄膜。该方法制造的TiO2薄膜具有新颖的多尺度孔道结构特征,即同时具有较小尺寸孔道和较大尺寸孔道,特别有利于染料向薄膜内部的扩散与吸附,有利于电解质载流子在薄膜内的传递,对于固体或准固体电解质的电池,该薄膜还利于电解质渗透扩散进入薄膜内部。从根本上避免了薄膜裂纹和泡孔等诸多形式的缺陷,薄膜均匀,薄膜与基体结合优异,薄膜厚度可在2μm~50μm范围内灵活调控,其工艺简单灵活、量产成本低廉,可控性好,采用此薄膜组装的电池性能在若干性能方面可优于传统方法制备薄膜的电池。

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