[00258523]一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610954124.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，在基材表面制备一层金属材料，在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列，然后在粒子阵列上沉积硅薄膜，在硅薄膜表面制备聚合物层，再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离，然后以聚合物层为基底，选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列，最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子，形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构，开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，在基材表面制备一层金属材料，在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列，然后在粒子阵列上沉积硅薄膜，在硅薄膜表面制备聚合物层，再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离，然后以聚合物层为基底，选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列，最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子，形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构，开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。
