[00257011]快速开关功率绝缘栅半导体器件
                
                    
                        交易价格:
                        
                            面议
                        
                    
                    
                        所属行业:
                        
                        
                            其他电气自动化
                        
                        
                    
                    
                        类型:
                        发明专利
                    
                    
                    
                        技术成熟度:
                        正在研发
                    
                    
                    
                    专利所属地:中国 
                    专利号:CN200480006969.4
                    
                    
                        交易方式:
                        
                        
                        
                            技术转让
                        
                        
                        
                            技术转让
                        
                        
                        
                            技术入股
                        
                        
                        
                    
                    
                 
                
                    
                    
                    
                        联系人:
                                                                        西北大学
                        
                        
                    
                    
                    
                    
                        
                        
                            进入空间
                        
                    
                    
                    
                    所在地:陕西西安市
                    
                    
                        - 服务承诺
- 产权明晰
- 
                            资料保密
                             对所交付的所有资料进行保密  
- 如实描述
 
             
            
            
         
        
            
                
技术详细介绍
            
            摘要:一种绝缘栅半导体器件(30),包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2,并且优选地基本上等于1。在本发明的一个实施方式中,这是通过栅极处的有效厚度dins小于最小厚度的绝缘层(32)来实现的。
            
                摘要:一种绝缘栅半导体器件(30),包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2,并且优选地基本上等于1。在本发明的一个实施方式中,这是通过栅极处的有效厚度dins小于最小厚度的绝缘层(32)来实现的。