[00256653]一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410427196.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
湘潭大学
进入空间
所在地：湖南湘潭市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区，所述漏区的外围设有环形深掺杂漏区，深掺杂漏区与漏区之间设有第二阈值电压注入区。本发明在传统N沟道场效应晶体管漏区外围环绕一圈深掺杂漏区，附加的深掺杂漏区能够在单粒子入射敏感漏区产生漏斗效应后有效地辅助漏区收集电荷，使得器件在受到单粒子辐照后漏区所吸收电荷量及吸收时间减少，减小了单粒子瞬态电流脉冲时间与峰值，并屏蔽一定线性能量传输值的单粒子在反相器链中所造成的瞬态电压脉冲，提高了器件的抗辐照能力。
摘要：本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区，所述漏区的外围设有环形深掺杂漏区，深掺杂漏区与漏区之间设有第二阈值电压注入区。本发明在传统N沟道场效应晶体管漏区外围环绕一圈深掺杂漏区，附加的深掺杂漏区能够在单粒子入射敏感漏区产生漏斗效应后有效地辅助漏区收集电荷，使得器件在受到单粒子辐照后漏区所吸收电荷量及吸收时间减少，减小了单粒子瞬态电流脉冲时间与峰值，并屏蔽一定线性能量传输值的单粒子在反相器链中所造成的瞬态电压脉冲，提高了器件的抗辐照能力。
