[00246245]一种生长薄膜光致发光光谱的原位检测装置及方法
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710433763.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本[发明专利]属于半导体材料制造设备技术领域，公开了一种生长薄膜光致发光光谱的原位检测装置，该装置包括薄膜生长反应室、脉冲激光模块、光学组件、光电开关模块、光谱仪、数据计算单元、工作信号电路；光电开关模块和光谱仪的信号输出端与数据计算单元连接，数据计算单元的输出端与光谱仪和脉冲激光模块连接，用于所述脉冲激光器在对准基片起始位置时开始周期性发光，以及控制所述光谱仪与脉冲激光器同步开始采集光谱，本[发明专利]还提供了一种在线实时检测基片光致发光光谱的方法。本[发明专利]能准确在线采集基片生长过程中的光致发光光谱，采集效率高，光谱数据准确，可以广泛应用于半导体材料在线检测领域。
本[发明专利]属于半导体材料制造设备技术领域，公开了一种生长薄膜光致发光光谱的原位检测装置，该装置包括薄膜生长反应室、脉冲激光模块、光学组件、光电开关模块、光谱仪、数据计算单元、工作信号电路；光电开关模块和光谱仪的信号输出端与数据计算单元连接，数据计算单元的输出端与光谱仪和脉冲激光模块连接，用于所述脉冲激光器在对准基片起始位置时开始周期性发光，以及控制所述光谱仪与脉冲激光器同步开始采集光谱，本[发明专利]还提供了一种在线实时检测基片光致发光光谱的方法。本[发明专利]能准确在线采集基片生长过程中的光致发光光谱，采集效率高，光谱数据准确，可以广泛应用于半导体材料在线检测领域。
